石铭(副教授)
教师背景
学历 |
所在学校 |
所在学院 |
时间 |
硕 博 |
中科院上海技术物理研究所 |
微电子学与固体电子学 |
2011.9-2015.6 |
硕博 |
中国科技大学 |
电子科学与技术 |
2010.9-2011.6 |
本科 |
郑州大学 |
应用物理 |
2005.9-2009.6 |
研究领域
从事光电磁传感器、光通信技术的研究工作。通过结构设计、关键工艺攻关、表/界面缺陷能级微观表征、器件测试分析与仿真等手段，开展高性能1-3微米波段InGaAs短波红外光电探测器的研制；通过光学设计、精密磁感应单元设计、磁共振信号检测电路开发等手段，开展高灵敏度激光光泵原子磁力仪的研制，突破小型化和低功耗关键技术以实现工程化应用；进行可见光通信技术研究。在《Infrared Physics & Technology》、《红外与毫米波学报》、《红外与激光工程》、《中国电子科学研究院学报》等国内外学术期刊上，发表论文13余篇。申请国家专利6项，获得国家专利5项。
研究成果
[1]石铭. 基于激光源的高准确度He-Cs光泵磁力仪研究. 中国电子科学研究院学报, 2019, 14(01): 107-110.
[2]石铭, 王羚, 程泓勋等. 基于激光偏振调制的全光Cs原子磁力仪研究. 红外与激光工程, 2018, 47(09): 181-184.
[3]M. Shi, X. Shao, H. Tang, et al.ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2016, 35(1): 47-51.
[4]M. Shi, H. Tang, X. Shao, et al. Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As. Infrared Physics & Technology, 2015, 71: 384-388.
[5]M. Shi, X. Shao, H. Tang, et al. Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes. Infrared Physics & Technology, 2014, 67: 197-201.
[6]Y. Zhou, X. Ji, M. Shi, et al. Impact of SiNx passivation on the surface properties of InGaAs photo-detectors. Journal of Applied Physics, 2015, 118(3): 034507.
[7]G. Cao, H. Tang, M. Shi, et al. Temperature dependence of Ohmic contacts of In0.83Ga0.17As photodiodes and its correlation with interface microstructure. Applied Physics A, 2015, 121(3): 1109-1114.
[8]J. Yang, M. Shi, X. Shao, et al. Low leakage of In0.83Ga0.17As photodiode with Al2O3/SiNx stacks. Infrared Physics & Technology, 2015, 71: 272-276.
[9]X. Huang, X. Li, M. Shi, et al. The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiNx passivation films fabricated by two different techniques. Infrared Physics & Technology, 2014, 67: 596-599.
[10]P. Wei, X. Li, M. Shi, et al. Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature. Infrared Physics & Technology, 2014, 62: 13-17.
[11]石铭、王羚等，一种基于双吸收室的自激式激光光泵磁力仪系统，专利号：201811641202.9。
[12]石铭、王羚等，一种无盲区光泵磁力仪探头，专利号：201711448924.8。
[13]石铭、王羚等，一种无盲区激光光泵磁力仪探头，专利号：201711445442.7。
研究项目
主持或参与国防科工局技术基础科研、科技部国家重点发展计划项目3项。
联系方式
邮箱：shiming104@163.com
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